NUEVA DELHI: cuando se trata de dispositivos modernos como teléfonos inteligentes y PC, el almacenamiento magnético (p. ej., discos duros) y la memoria flash (p. ej., RAM) son las dos tecnologías dominantes utilizadas para fabricar soluciones de almacenamiento primario y secundario. Pero tan rápido como las soluciones de memoria flash y magnética hacen que nuestros dispositivos, ¿y si pudieran ser aún más rápidos?
Gracias a la memoria de cambio de fase (PCM), esto podría suceder pronto. Los científicos de IBM han hecho un gran avance con la memoria de cambio de fase, usándola para almacenar de manera confiable 3 bits de datos por celda.
La memoria de cambio de fase es un tipo de memoria de acceso aleatorio (RAM) que funciona explotando el comportamiento único del vidrio de calcogenuro. PCM tiene dos fases estables: amorfa (sin estructura claramente definida) y cristalina (con estructura definida), con baja y alta conductividad eléctrica, respectivamente.
Como la memoria digital está compuesta por 0 y 1, se puede programar un ‘0’ para que se escriba en fase amorfa y un ‘1’ en fase cristalina, o viceversa. Las operaciones de lectura y escritura se realizan aplicando voltajes altos y bajos. Esta es la tecnología utilizada por los discos Blu-ray para almacenar contenido.
La memoria de cambio de fase no pierde datos cuando se apaga y puede durar hasta 10 millones de ciclos de escritura. Para ponerlo en perspectiva, una unidad flash USB solo dura unos 3000 ciclos de escritura.
Anteriormente, los científicos habían demostrado la capacidad de almacenar 1 bit por celda. Pero esta vez, pudieron almacenar con éxito 3 bits por celda en una matriz de 64k celdas, demostrando la tecnología en el Taller Internacional de Memoria IEEE en París. Lo mismo se hizo a temperaturas elevadas y después de 1 millón de ciclos de resistencia.
El gerente de investigación de memoria no volátil de IBM Research, el Dr. Haris Pozidis dijo que lograr 3 bits por celda es un hito significativo, porque a esa densidad el costo de la memoria de cambio de fase será significativamente menor que DRAM y más cercano a la memoria flash.
Este avance en la memoria de cambio de fase tiene el potencial de revolucionar dispositivos como PC y teléfonos inteligentes. Puede integrarse en dispositivos móviles para almacenar el sistema operativo y el firmware, lo que les permite iniciarse en segundos. La tecnología también es prometedora para el sector empresarial. Las grandes bases de datos se pueden almacenar en soluciones de almacenamiento basadas en memoria de cambio de fase para un procesamiento de consultas y una recuperación de datos extremadamente rápidos, como en el caso de las transacciones financieras.
La memoria de cambio de fase podría llegar a ser el próximo gran avance que necesita la próxima generación de dispositivos inteligentes.
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Prantik Sarkar
hace 2283 días
